ROHM QS5U36 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 1,25 W, 5-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
183-5415
Herst. Teile-Nr.:
QS5U36TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

QS5U36

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

240 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.3V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±10 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,5 nC @ 4,5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.95mm

Ursprungsland:
JP
ROHM MOSFETs werden als Bauelemente mit niedrigem RDS(on)-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologie hergestellt und sind in einer breiten Palette einschließlich Hybridtypen (MOSFET + Schottky-Diode) erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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