ROHM RQ3E150BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39 A 17 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
183-5441
Herst. Teile-Nr.:
RQ3E150BNTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

39 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSMT

Serie

RQ3E150BN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

7,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

17 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

3.3mm

Breite

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

0.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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