ROHM R6576ENZ4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 183-5444
- Herst. Teile-Nr.:
- R6576ENZ4C13
- Marke:
- ROHM
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| 5 - 9 | 14,69 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- R6576ENZ4C13
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 76 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | R6576ENZ4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 735 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Länge | 16.24mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.22mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 21.25mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 76 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie R6576ENZ4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 735 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Länge 16.24mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 260 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.22mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 21.25mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der R6576ENZ4 ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung