ROHM RQ3P300BE N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A 32 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
183-5467
Herst. Teile-Nr.:
RQ3P300BETB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

36 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

RQ3P300BE

Gehäusegröße

HSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

21 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19,1 nC @ 10 V

Länge

3.3mm

Breite

3.1mm

Höhe

0.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Der RQ3P300BE ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand, geeignet für DC/DC-Wandler

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung