ROHM RS1E240BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 30 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
183-5482
Herst. Teile-Nr.:
RS1E240BNTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS1E240BN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 V

Länge

5.8mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Der MOSFET der Serie RS1E240BN ist für Schaltanwendungen mit niedrigem Betriebswiderstand vorgesehen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines gegossenes Hochleistungsgehäuse (HSOP8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei