ROHM RS1E321GN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 34 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
183-5485
Herst. Teile-Nr.:
RS1E321GNTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RS1E321GN

Gehäusegröße

HSOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

34 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

5.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42,8 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.05mm

Ursprungsland:
TH
Der RS1E321GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und Hochleistungsgehäuse und für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei