ROHM RS1G150MN N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 43 A 25 W, 8-Pin HSOP

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
183-5488
Herst. Teile-Nr.:
RS1G150MNTB
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

43 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS1G150MN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

13,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5.8mm

Breite

5mm

Höhe

1.05mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei