ROHM RS1G300GN N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 35 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
183-5491
Herst. Teile-Nr.:
RS1G300GNTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS1G300GN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56,8 nC bei 10 V

Länge

5.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH
Leistungs-MOSFET Nch 40 V 30 A für DC/DC-Wandler und Motortreiber mit hohem Wirkungsgrad

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei