ROHM RS3E180AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 183-5515
- Herst. Teile-Nr.:
- RS3E180ATTB1
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RS3E180ATTB1
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | RS3E180AT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Breite | 4.05mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie RS3E180AT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 160 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Länge 5.2mm | ||
Breite 4.05mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der RS3E180AT ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
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