ROHM US6K2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 1 W, 6-Pin SOT-363T

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RS Best.-Nr.:
183-5544
Herst. Teile-Nr.:
US6K2TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

US6K2

Gehäusegröße

SOT-363T

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1 W

Gate-Source Spannung max.

20 V

Länge

2.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,4 nC bei 5 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.82mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
JP
Komplexe MOSFETs (N+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-Antriebstyp
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei