ROHM US6K2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 1 W, 6-Pin SOT-363T
- RS Best.-Nr.:
- 183-5544
- Herst. Teile-Nr.:
- US6K2TR
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 0,461 € | 13,83 € |
| 150 - 570 | 0,432 € | 12,96 € |
| 600 - 1470 | 0,402 € | 12,06 € |
| 1500 + | 0,373 € | 11,19 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 183-5544
- Herst. Teile-Nr.:
- US6K2TR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | US6K2 | |
| Gehäusegröße | SOT-363T | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Breite | 1.8mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,4 nC bei 5 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.82mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie US6K2 | ||
Gehäusegröße SOT-363T | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Breite 1.8mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,4 nC bei 5 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.82mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Komplexe MOSFETs (N+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
4-V-Antriebstyp
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Nch+Nch Middle Power-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei