ROHM UT6MA3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V 2 W, 8-Pin DFN2020

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RS Best.-Nr.:
183-5587
Herst. Teile-Nr.:
UT6MA3TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

±5 A (P-Kanal), ±5,5 A (N-Kanal)

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

UT6MA3

Gehäusegröße

DFN2020

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

76 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

2 W

Gate-Source Spannung max.

±8 (N-Kanal) V, ±8 (P-Kanal) V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

2.1mm

Breite

2.1mm

Höhe

0.65mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Der UT6MA3 ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und mittlerer Leistung, geeignet für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei.