ROHM RTQ020N05 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin SOT-457T

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RS Best.-Nr.:
183-5606
Herst. Teile-Nr.:
RTQ020N05TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

45 V

Gehäusegröße

SOT-457T

Serie

RTQ020N05

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

280 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,3 nC @ 4,5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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