ROHM RZF020P01 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 800 mW, 3-Pin SOT-323T

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RS Best.-Nr.:
183-5655
Herst. Teile-Nr.:
RZF020P01TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

12 V

Gehäusegröße

SOT-323T

Serie

RZF020P01

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

800 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.8mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,5 nC @ 4,5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.82mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei