ROHM SH8K26GZ0 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
183-5674
Herst. Teile-Nr.:
SH8K26GZ0TB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

SH8K26GZ0

Gehäusegröße

SOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

4.05mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,9 nC @ 5 V

Länge

5.2mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.6mm

Ursprungsland:
JP
Der MOSFET SH8K26 mit mittlerer Leistung ist für Schaltnetzteile geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei