ROHM R6012JNJ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 160 W, 3-Pin LPTS

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RS Best.-Nr.:
183-5981
Herst. Teile-Nr.:
R6012JNJGTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

LPTS

Serie

R6012JNJ

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

390 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

7V

Gate-Schwellenspannung min.

5V

Verlustleistung max.

160 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

9.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC bei 15 V

Höhe

4.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Der R6012JNJ ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.

Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Pb-frei Beschichtung