ROHM RS3E130AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13 A 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
183-6001
Herst. Teile-Nr.:
RS3E130ATTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

13 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOP

Serie

RS3E130AT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

11,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

83 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5.2mm

Breite

4.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Der RS3E130AT ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung