ROHM RJ1L12CGN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 166 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 183-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L12CGNTLL
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,59 € | 11,18 € |
| 10 - 18 | 4,935 € | 9,87 € |
| 20 - 198 | 4,665 € | 9,33 € |
| 200 + | 4,54 € | 9,08 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 183-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L12CGNTLL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1L12CGN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 139 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Breite | 9.2mm | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1L12CGN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 139 nC @ 10 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Breite 9.2mm | ||
Höhe 4.7mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- KP
Der RJ1L12CGN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei