ROHM RJ1L12CGN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 166 W, 3-Pin TO-263AB

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RS Best.-Nr.:
183-6007
Herst. Teile-Nr.:
RJ1L12CGNTLL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-263AB

Serie

RJ1L12CGN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

166 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.2mm

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

139 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

4.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
KP
Der RJ1L12CGN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei