onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL

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RS Best.-Nr.:
184-1065
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS4833NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

191 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SO-8FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

113,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 11,5 V

Länge

5.8mm

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Ursprungsland:
MY
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlust
Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
Dies sind bleifreie Geräte
Anwendungen
Siehe Anwendungshinweis AND8195/D.
CPU-Stromversorgung
DC/DC-Wandler
Low-Side-Schaltung

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