onsemi NVTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 184-1458P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS5116PLTAG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | NVTFS5116PL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie NVTFS5116PL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung.
Kleine Abmessungen (3,3 x 3,3 mm)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Kapazität
NVTFS5116PLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Geeignet für Automobilanwendungen
Anwendungen:
Kfz-Lastschalter
Motortreiber
DC/DC-Schaltausgang