onsemi BSS123W N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 200 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
184-4673
Herst. Teile-Nr.:
BSS123W
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

170 mA

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

SOT-323

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.8V

Verlustleistung max.

200 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.25mm

Länge

2mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Dieser N-Kanal Enhancement Mode MOSFET wird mit einer hohen Zelldichte und Trench MOSFET-Technologie hergestellt. Dieses Produkt minimiert den Widerstand im eingeschalteten Zustand und bietet gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Dieses Produkt eignet sich besonders für Low-Voltage-, Low-Current-Anwendungen wie kleine Servomotorsteuerung, Leistungs-MOSFET-Gatetreiber, Logiktransistor, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Power Management/Stromversorgung und Schaltanwendungen.

0,17 A, 100 V
RDS(ON) = 6 Ω bei VGS = 10 V.
RDS(ON) = 10 Ω bei VGS = 4,5 V.
Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
Robust und zuverlässig
Ultrakleines SMD-Gehäuse
Sehr geringe Kapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Kleine Servomotor-Steuerung
Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Transistoren auf Logikebene
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Stromüberwachungseinheit
Stromversorgung und Schaltung