ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7 A 46 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
185-1291
Herst. Teile-Nr.:
R6007JNXC7G
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

780 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

7V

Gate-Schwellenspannung min.

5V

Verlustleistung max.

46 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.3mm

Breite

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17,5 nC @ 15 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.27mm

R6007JNX ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Rücklaufzeit (trr), geeignet für Schaltanwendungen.

Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
PB-freie Plattierung, RoHS-konform