Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30,8 A 230 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
185-6334
Herst. Teile-Nr.:
TK31Z60X,S1F(O
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30,8 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

880 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

230 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

15.94mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Höhe

20.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
KR
Niedriger Widerstand der Abflussquelle: RDS(ON) = 0,073 Ω (typ.), verwendet für Super Junction Structure: DTMOS
Schnelle Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität.
Erweiterungsmodus: Vth = 2,5 bis 3,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
Anwendungen
Schaltspannungsregler