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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	70 A, 164 A
	Drain-Source-Spannung max.	30 V
	Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	1,6 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5 (Q1) V, 3 (Q2) V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.8 (Q1) V, 1 (Q2) V
	Verlustleistung max.	26 W, 42 W.
	Gate-Source Spannung max.	+16/-12 V (Q1, Q2
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	5.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	23 (Q1) nC bei 10 V, 84 (Q2) nC bei 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Breite	6.15mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Höhe	0.75mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 70 A, 164 A
	Drain-Source-Spannung max. 30 V
	Gehäusegröße PQFN 5 x 6
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 1,6 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5 (Q1) V, 3 (Q2) V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.8 (Q1) V, 1 (Q2) V
	Verlustleistung max. 26 W, 42 W.
	Gate-Source Spannung max. +16/-12 V (Q1, Q2
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 5.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 (Q1) nC bei 10 V, 84 (Q2) nC bei 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Breite 6.15mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Höhe 0.75mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Datasheet FDMS1D2N03DSD

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:: PH

Dieses Gerät enthält zwei spezialisierte N-Kanal-MOSFETs in einem Doppelgehäuse. Der Switch-Knoten wurde intern angeschlossen, um die Platzierung und das Routing von synchronen Abwärtswandlern zu erleichtern. Der Steuer-MOSFET (Q1) und der synchrone SyncFET (Q2) wurden entwickelt, um eine optimale Energieeffizienz zu gewährleisten.

Q1: Max. RDS(on) = 3,25 mOhm bei Vgs = 10 V
Q1: Max. RDS(on) = 4,0 mOhm bei Vgs = 4,5 V
Q2: Max. RDS(on) = 0,97 mOhm bei Vgs = 10 V
Q2: Max. RDS(on) = 1,25 mOhm bei Vgs = 4,5 V
Verpackungen mit geringer Induktivität verkürzen die Anstiegs-/Abfallzeiten und führen zu geringeren Schaltverlusten
MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für Induktivität mit niedrigerem Stromkreis und reduzierte Schaltknotenrudelung
Anwendungen
Computer
Netzwerke
Lastpunkt
Endprodukte
VGA-Karten
Stromversorgungen für Telekommunikation
Server

onsemi FDMS1D2N03DSD N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 70 A, 164 A 26 W, 42 W., 8-Pin PQFN 5 x 6