onsemi NVBLS0D7N04M8TXG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 240 A 357 W, 8-Pin MO-299A

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RS Best.-Nr.:
185-8152
Herst. Teile-Nr.:
NVBLS0D7N04M8TXG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

240 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

MO-299A

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

750 μΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

357 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

11.78mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

9.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

144 nC @ 10 V

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Diodendurchschlagsspannung

1.25V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
PH
Leistungs-MOSFET, 40 V, 300 A, 0,57 mΩ, ein N-Kanal. To-LL-Gehäuse für hohe Leistungsdichte und verbesserte thermische Leistung.

Niedrige QG und Kapazität
Niedriger RDS (EIN)
PPAP-fähig
Bleifrei
UIS-Funktionen
Minimiert Treiberverluste
Minimiert Leitungsverluste
Für Kraftfahrttechnik geeignet
Anwendungen
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrangmanagement
Integrierter Anlasser/Drehstromgenerator
Magnet- und Motortreiber
Endprodukte
Motorsteuereinheit (ECU)
Motortreiber mit hohem Strom
12-V-Fahrzeugsystem