onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 433 A 205 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 185-8159
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 185-8159
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 433A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 630μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 433A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 630μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8 mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
- Ursprungsland:
- PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem flachen 8 x 8 mm-Kabelpaket, das für kompakte und effiziente Designs einschließlich hoher thermischer Leistung entwickelt wurde. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie