onsemi Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung, 8-Pin DFNW-8
- RS Best.-Nr.:
- 185-8160
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 185-8160
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DFNW-8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Höhe | 1.15 mm | |
| Länge | 8.1 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 55 °C | |
| Breite | 8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DFNW-8 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Höhe 1.15 mm | ||
Länge 8.1 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. 55 °C | ||
Breite 8 mm | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
- Ursprungsland:
- PH
Automotive-Leistungs-MOSFET in einem 8 x 8 mm Flachbandgehäuse für kompakte und effiziente Designs und mit hoher thermischer Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.
Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie