onsemi FDMS007N08LC N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 84 A 92,6 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
185-8770
Herst. Teile-Nr.:
FDMS007N08LC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

84 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

11,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

92,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 10 V

Breite

6.15mm

Länge

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
Max. RDS(ein) = 6,7 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 21 A
Max. RDS(ein) = 9,9 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 17 A
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch / EMI
Logic Level Drive Capable
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Endprodukte
Synchrone AC/DC-Gleichrichter
DC-DC Primär- und Sekundärmosfet
Motorsteuerungsschalter