onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
186-1280
Herst. Teile-Nr.:
NVB072N65S3
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SuperFET III MOSFET Easy-drive

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

107mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

82nC

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Höhe

4.58mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)

PPAP-fähig

Typ. RDS(ein) = 63 mΩ

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

PPAP-fähig

Anwendungen

HV DC/DC Wandler

Endprodukte

Integriertes Ladegerät

DC/DC-Wandler

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