onsemi NTMTS0D6N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 533 A 245 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 186-1348
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS0D6N04CTXG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 533A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NTMTS0D6N04C | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 480μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 187nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 533A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NTMTS0D6N04C | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 480μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 187nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.15mm | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Kleine Stellfläche (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Typische Anwendungen:
Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuumsysteme
UAV/Drones, Materialtransport
BMS/Storage, Heimautomatisierung