onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 186-8850P
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170-D75Z
- Marke:
- onsemi
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- BS170-D75Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Kleinsignal-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 4.19mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Kleinsignal-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BS170 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 4.19mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET, Kleinsignal, 500 mA, 60 V
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet