Vishay SIDR608DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 208 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO

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RS Best.-Nr.:
188-4869
Herst. Teile-Nr.:
SIDR608DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

208 A

Drain-Source-Spannung max.

45 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

1,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.1V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

111 nC @ 10 V

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5.99mm

Höhe

1.07mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal 45 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
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