Vishay SIR120DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 106 A 100 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

3.306,00 €

(ohne MwSt.)

3.933,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +1,102 €3.306,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4881
Herst. Teile-Nr.:
SIR120DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

106 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Länge

5.99mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.07mm

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM