Vishay SIR120DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 106 A 100 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
188-4881
Herst. Teile-Nr.:
SIR120DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

106 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62,5 nC @ 10 V

Länge

5.99mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
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