Vishay SiRA28BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 17 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
188-4882
Herst. Teile-Nr.:
SiRA28BDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

12 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

17 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Breite

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5.99mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,3 nC bei 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.07mm

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV