Vishay SIS108DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 16 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
188-4885
Herst. Teile-Nr.:
SIS108DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

44 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

24 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,2 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.15mm

Breite

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM