Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 1,25 W, 3-Pin PowerPAK 0806
- RS Best.-Nr.:
- 188-4963
- Herst. Teile-Nr.:
- SiUD401ED-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,408 € | 20,40 € |
| 100 - 200 | 0,238 € | 11,90 € |
| 250 - 450 | 0,233 € | 11,65 € |
| 500 - 950 | 0,194 € | 9,70 € |
| 1000 + | 0,149 € | 7,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4963
- Herst. Teile-Nr.:
- SiUD401ED-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 500 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 0806 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Breite | 0.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 0.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,3 nC @ 15 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 500 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 0806 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Breite 0.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 0.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,3 nC @ 15 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.4mm | ||
P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Extrem kleine Abmessungen von 0,8 mm x 0,6 mm
Ultradünn: Max. 0,4 mm Höhe
Extrem kleine Abmessungen von 0,8 mm x 0,6 mm
Ultradünn: Max. 0,4 mm Höhe