Vishay SiUD401ED-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 1,25 W, 3-Pin PowerPAK 0806

RS Best.-Nr.:: 188-4963
Herst. Teile-Nr.:: SiUD401ED-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiUD401ED-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 1,25 W, 3-Pin PowerPAK 0806

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Preis pro Stück (In einer VPE à 50)

0,408 €

(ohne MwSt.)

0,486 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 - 50	0,408 €	20,40 €
100 - 200	0,238 €	11,90 €
250 - 450	0,233 €	11,65 €
500 - 950	0,194 €	9,70 €
1000 +	0,149 €	7,45 €

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RS Best.-Nr.:: 188-4963
Herst. Teile-Nr.:: SiUD401ED-T1-GE3
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Datasheet SiUD401ED-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Extrem kleine Abmessungen von 0,8 mm x 0,6 mm
Ultradünn: Max. 0,4 mm Höhe

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	500 mA
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK 0806
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.4V
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Länge	0.8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,3 nC @ 15 V
Breite	0.6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.4mm

Vishay SiUD401ED-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 1,25 W, 3-Pin PowerPAK 0806

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