Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-4999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF02DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|
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- SISF02DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +16V | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +16V | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Ablass, 25 V (S1-S2).
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse