Vishay SIA108DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5002
Herst. Teile-Nr.:
SIA108DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PowerPAK SC-70

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

46 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

19 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,2 nC @ 10 V

Länge

2.15mm

Höhe

0.75mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

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