Vishay SISS42LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 39 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-S

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5071
Herst. Teile-Nr.:
SISS42LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

39 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-S

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

57 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

3.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

32 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.3mm

Höhe

0.78mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM