Vishay SiSH407DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- RS Best.-Nr.:
- 188-5085
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSH407DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,845 € | 21,13 € |
| 50 - 75 | 0,828 € | 20,70 € |
| 100 - 475 | 0,642 € | 16,05 € |
| 500 - 975 | 0,529 € | 13,23 € |
| 1000 + | 0,424 € | 10,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5085
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSH407DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 19,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 33 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±8 V | |
| Breite | 3.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 62,5 nC @ 8 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 25 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 19,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 33 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±8 V | ||
Breite 3.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 62,5 nC @ 8 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.93mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
P-Kanal 20 V (D-S) MOSFET.
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PowerPAK ® -Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe und niedrigem 0,9-mm-Profil
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