Vishay SiSH472DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212-SH

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5104
Herst. Teile-Nr.:
SiSH472DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-SH

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

12 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

28 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19,5 nC @ 10 V

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.3mm

Höhe

0.93mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

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