- RS Best.-Nr.:
- 188-5126
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP40012EL-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SUP40012EL-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-40-V-MOSFET (D-S).
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Ausgezeichnete RDS-Qg- und RDS-Qoss-FOM reduzieren die Leistungsverluste durch Leitung und Schaltung, um einen hohen Wirkungsgrad zu ermöglichen
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Ausgezeichnete RDS-Qg- und RDS-Qoss-FOM reduzieren die Leistungsverluste durch Leitung und Schaltung, um einen hohen Wirkungsgrad zu ermöglichen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,3 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Länge | 10.51mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.65mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
Höhe | 9.01mm |
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