Vishay SiSS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
188-5137
Herst. Teile-Nr.:
SiSS66DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

178,3 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

65,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Länge

3.3mm

Breite

3.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

57 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

0.78mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.68V

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