STMicroelectronics STP12NM50 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-8281
Herst. Teile-Nr.:
STB12NM50T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STP12NM50

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.35 mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.37mm

Automobilstandard

Nein

Der MDmesh ist eine neue revolutionäre MOSFET-Technologie, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH' verbindet. Das resultierende Produkt verfügt über eine hervorragende geringe Einschaltbeständigkeit, beeindruckend hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Die Einführung der proprietären Streifentechnik des Unternehmens sorgt für eine insgesamt dynamische Leistung.

Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Enge Prozesssteuerung und hohe Fertigungserträge

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Anwendungen

Schaltanwendung

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