STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 630mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 630mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Breite 9.35 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Anwendungen
Schaltanwendungen