STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

84,55 €

(ohne MwSt.)

100,625 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
25 - 453,382 €
50 - 1203,202 €
125 - 2453,024 €
250 +2,884 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-8527P
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55-06T4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35 mm

Höhe

4.37mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Anwendungsorientierte Charakterisierung

Anwendungen

Schaltanwendung

Anwendungen

Schaltanwendung