STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
113,30 €
(ohne MwSt.)
134,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 7.260 Einheit(en) mit Versand ab 02. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 490 | 1,133 € |
| 500 - 2490 | 0,914 € |
| 2500 + | 0,854 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Typischer RDS(on) = 0,017 Ω
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN
