STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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188-8543P
Herst. Teile-Nr.:
STS7NF60L
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.65mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Typischer RDS(on) = 0,017 Ω

Niedriger SCHWELLENANTRIEB

Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE

ANWENDUNGEN

DC-MOTOR-ANTRIEB

DC/DC-Wandler

Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG

Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN

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