DiodesZetex N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 1,4 W, 6-Pin U-DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 188-9600
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2025UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2025UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,5 A (P-Kanal), 6 A (N-Kanal) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V (N-Kanal), 20 V (P-Kanal) | |
| Gehäusegröße | U-DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 140 (P Channel) mΩ, 35 (N Channel) mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.35 (P Channel) V, 0.5 (N Channel) V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1 (N Channel) V, 1.4 (P Channel) V | |
| Verlustleistung max. | 1,4 W | |
| Transistor-Konfiguration | Dual | |
| Gate-Source Spannung max. | 10 V (N-Kanal), 8 V (P-Kanal) | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,3 nC (N-Kanal), 15 nC (P-Kanal) | |
| Länge | 2.07mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 2.07mm | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,5 A (P-Kanal), 6 A (N-Kanal) | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V (N-Kanal), 20 V (P-Kanal) | ||
Gehäusegröße U-DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 140 (P Channel) mΩ, 35 (N Channel) mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.35 (P Channel) V, 0.5 (N Channel) V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1 (N Channel) V, 1.4 (P Channel) V | ||
Verlustleistung max. 1,4 W | ||
Transistor-Konfiguration Dual | ||
Gate-Source Spannung max. 10 V (N-Kanal), 8 V (P-Kanal) | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12,3 nC (N-Kanal), 15 nC (P-Kanal) | ||
Länge 2.07mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 2.07mm | ||
Höhe 0.55mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Flach mit 0,6 mm maximaler Höhe
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
Halogen- und antimonfrei
AIO, Desktop-PC, Digitalkameras, Dockingstation, xDSL-Modems, DVD/Blu-Ray, GPS, Monitore, Notebooks, STB, VOIP, WLAN/Bluetooth-Modul, Fernseher
Lastschalter
Stromüberwachungsfunktionen
Tragbare Netzteiladapter
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Flach mit 0,6 mm maximaler Höhe
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
Halogen- und antimonfrei
AIO, Desktop-PC, Digitalkameras, Dockingstation, xDSL-Modems, DVD/Blu-Ray, GPS, Monitore, Notebooks, STB, VOIP, WLAN/Bluetooth-Modul, Fernseher
Lastschalter
Stromüberwachungsfunktionen
Tragbare Netzteiladapter
