onsemi NTHL080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
189-0254
Herst. Teile-Nr.:
NTHL080N120SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

44 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

162 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.8V

Verlustleistung max.

348 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-15 V, +20 V

Länge

15.87mm

Transistor-Werkstoff

SiC

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56 nC @ 20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.82mm

Höhe

20.82mm

Diodendurchschlagsspannung

4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

1200 V Nennspannung
Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Anwendungen
PFC
Boost-Wechselrichter
PV-Ladung
Endprodukte
Solarwechselrichter
Netzwerk-Netzteil
Server-Netzteil