onsemi NTHL080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 189-0416
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL080N120SC1
- Marke:
- onsemi
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- NTHL080N120SC1
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 44 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 162 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V | |
| Verlustleistung max. | 348 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -15 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.87mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56 nC @ 20 V | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Breite | 4.82mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 4V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 44 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 162 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.8V | ||
Verlustleistung max. 348 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -15 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.87mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56 nC @ 20 V | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Breite 4.82mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 4V | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
1200 V Nennspannung
Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Anwendungen
PFC
Boost-Wechselrichter
PV-Ladung
Endprodukte
Solarwechselrichter
Netzwerk-Netzteil
Server-Netzteil
Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Anwendungen
PFC
Boost-Wechselrichter
PV-Ladung
Endprodukte
Solarwechselrichter
Netzwerk-Netzteil
Server-Netzteil