onsemi NVTFS015N04C N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 23 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 189-0479
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS015N04CTAG
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 11,80 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
21,35 €
(ohne MwSt.)
25,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Lieferengpass
Aktuell können wir Ihnen keinen Liefertermin mitteilen.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,854 € | 21,35 € | - |
| 100 - 225 | 0,736 € | 18,40 € | 11,80 € |
| 250 + | 0,638 € | 15,95 € | 54,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-0479
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS015N04CTAG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVTFS015N04C | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.15mm | |
| Höhe | 750μm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVTFS015N04C | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.15mm | ||
Höhe 750μm | ||
Länge 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option für nasse Tischflansche für verbesserte optische Inspektion erhältlich.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
NVMFS5C404NLWF - benetzbare Flanken-Optik
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Magnetantrieb - ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung - EPS, Wischtücher, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Gehäuse